石墨烯不是唯一突破,国内自研晶圆实现量产,成为全球首位

作者: cnpim CNPIM 2021年08月19日

  华为不仅在国内,甚至在国际舞台上都有着较高的声誉,在世界市场中的占比可以说是越来越大,而正是因为华为的快速发展,引来了美国方面的不满。
 
  传统芯片即将顶到天花板
 
  为了能遏制华为的发展,美国明确表示含有本国技术的芯片出口,需要取得它的同意,没有了持续的供给,华为一时间陷入到两难的境地。
 
  有了华为事件,更让我们清楚地认识到打破国外的垄断,自己掌握核心技术的重要性,为此国家一时间掀起了造芯热。
 
  大家都知道,在芯片界有着极高地位的台积电、三星已经实现了5nm芯片的制作,如今他们已经都将目标聚集到了3nm和1nm的研发制造上。
 
  而随着工艺等级的上升,其难度系数也是逐渐增大的,当进入1nm芯片的生产时,传统芯片也将进入一个天花板境地。
 
  碳基芯片的出现成为行业内一大突破
 
  正是因为这种原因,寻找其他材料来代替传统的硅基芯片,对于该领域的可持续性发展起到关键性的作用。
 
  我国在2020年10月的时候,中科院就对外展示出了8英寸的石墨烯晶圆,据悉这批碳基晶圆在性能上远远超过硅基晶圆,此项发明更是预示着我国甚至全世界在半导体行业的一大进步。
 
  而不只是碳基芯片,国内又有一个新材料出现引起了不小的轰动,这个“新材料”就是硅基氮化镓芯片。
 
  新材料的出现成功打败传统硅基芯片
 
  据悉英诺赛科公司在江苏汾湖高新区举行了8英寸硅基氮化镓芯片的量产仪式,成了世界第一家突破8英寸硅基氮化镓量产的公司。
 
  英诺赛科公司是由骆薇薇带领团队进行创建的,骆薇薇也是一个数学天才,曾在美国宇航局(NASA)工作了15年,在此期间积攒了丰富的工作经验,在她的带领下公司在半导体领域也有着卓越的表现。
 
  英诺赛科研发制作的硅基氮化镓晶圆,在性能与使用上都是超越硅基材料的,它将硅与氮化镓完美融合在一起的材料。
 
  由于氮化镓具有很强的化学键,所以在承载电场方面,其实力远远超越硅基材料,这样的优势代表着5纳米晶体管之间的距离可以缩小十多倍,晶体管的密度也会大大增加。
 
  硅基氮化镓晶圆以高性能、低成本、低功耗完胜传统硅基芯片,而生产研发出硅基氮化镓晶圆并实现量产,并不是一件容易的事情。
 
  英诺赛科公司凭借其自身实力以及国家人民的支持,最终还是制作成功,取得这样的成就不仅在国内,在国际市场中都值得让人惊叹,而此项发明更是打破了海外对我国在该领域的垄断。
 
  结语
 
  我国成功制作硅基氮化镓晶圆并实现量产,这已经预示着我国在芯片领域有了新的转机,相信在不久的将来,我国会有更多的公司在该领域将作出突出贡献。

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