发明人：史忠旗,张晓钰,谢文琦,张哲健,魏智磊,
专利权人：西安交通大学
公开日：2019-06-28
公开号：CN109942297A
专利类别：发明公开
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摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米线增强高取向石墨复合材料及制备方法,在其表面生长一层均匀的碳化硅纳米线作为增强相,均匀分布在石墨片层间,形成碳化硅纳米线增强定向排列的石墨片层的各向异性结构；工艺上先以硅粉和片状石墨为原料通过熔盐法制备出碳化硅纳米线包覆片状石墨的粉体,然后预压成型后于1600～2000℃进行放电等离子体烧结,烧结过程中施加的轴向压力,使包覆碳化硅纳米线的石墨片层定向排布,烧结后形成的均匀三维陶瓷骨架,可显著提高石墨基体的强度,并约束石墨的热膨胀,从而形成致密、高强、沿片层方向高热导率、垂直片层方向低热膨胀的各向异性复合材料,其优异的综合性能,将在电子器件、发热部件的传热、散热等方面具有广泛的应用前景。
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